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熱變形維卡軟化點(diǎn)溫度測(cè)試儀價(jià)格1、支持標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的各種試樣的熱變形測(cè)試。 2、支持標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的各種維卡軟化點(diǎn)測(cè)試。 3、優(yōu)化的等速升溫算法，升溫過(guò)程平穩(wěn)準(zhǔn)確。

6架維卡軟化點(diǎn)溫度測(cè)試儀采用采用計(jì)算機(jī)進(jìn)行顯示操作，控制系統(tǒng)基于第二代ARM Cortex-M3內(nèi)核的微控制器研發(fā)設(shè)計(jì)，它具采用操作頻率高達(dá)120MHz性能、低功耗的32位微處理器，性能遠(yuǎn)高于16位、12MHz單片機(jī)，具有大容量閃存、大容量SRAM、豐富的IO端口資源以及其他外設(shè)組件，高度集成的測(cè)控系統(tǒng)，具有實(shí)時(shí)性更好、速度更快、穩(wěn)定性更高的特點(diǎn)，采用了基于Σ-Δ技術(shù)的16位無(wú)誤碼數(shù)據(jù)的AD芯片，

PLC熱變形維卡軟化點(diǎn)測(cè)定儀/觸摸屏維卡儀采用工業(yè)電腦控制，固態(tài)硬盤，無(wú)風(fēng)扇設(shè)計(jì)，系統(tǒng)穩(wěn)定，故障率低，數(shù)顯千分表測(cè)變形，實(shí)時(shí)曲線繪制，直接在PC機(jī)上對(duì)試驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行二次處理，試驗(yàn)數(shù)據(jù)可以導(dǎo)入到OFFICE軟件中，進(jìn)行編輯排版。試樣架可升降

維卡軟化點(diǎn)測(cè)定儀/熱塑性熱變形溫度熱變形（HDT）定義：標(biāo)準(zhǔn)試樣以平放（優(yōu)選）或側(cè)立方式承受三點(diǎn)彎曲恒定負(fù)荷，使其產(chǎn)生GB/T 1634相關(guān)部分規(guī)定的其中一種彎曲應(yīng)力，在勻速升溫條件下，測(cè)量達(dá)到與規(guī)定的彎曲應(yīng)變?cè)隽肯鄬?duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)撓度時(shí)的溫度。

熱變形溫度/維卡軟化點(diǎn)溫度試驗(yàn)機(jī)?主要用于塑料、硬橡膠、尼龍、電絕緣材料、長(zhǎng)纖維增強(qiáng)復(fù)合材料、高強(qiáng)度熱固性層壓材料等非金屬材料的熱變形溫度及維卡軟化點(diǎn)溫度的測(cè)定維卡（VST）定義：把試樣放在液體介質(zhì)或加熱箱中，在等速升溫條件下測(cè)定標(biāo)準(zhǔn)壓針在（50+1）N力的作用下，壓入從管材或管件上切取的試樣內(nèi)1mm時(shí)的溫度。

RW-300HB 熱變形維卡軟化點(diǎn)試驗(yàn)機(jī) 采用采用計(jì)算機(jī)進(jìn)行顯示操作，控制系統(tǒng)基于第二代ARM Cortex-M3內(nèi)核的微控制器研發(fā)設(shè)計(jì)，它具采用操作頻率高達(dá)120MHz性能、低功耗的32位微處理器，性能遠(yuǎn)高于16位、12MHz單片機(jī)，具有大容量閃存、大容量SRAM、豐富的IO端口資源以及其他外設(shè)組件，高度集成的測(cè)控系統(tǒng)

加熱裝置應(yīng)為熱浴，熱浴內(nèi)裝有適宜的液體傳熱介質(zhì)，試樣在其中應(yīng)至少浸沒(méi)50mm深，并應(yīng)裝有高效攪拌器。應(yīng)確定所選用的液體傳熱介質(zhì)在整個(gè)溫度范圍內(nèi)是穩(wěn)定的并應(yīng)對(duì)受試材料沒(méi)有影響，例如不引起溶脹或開裂。 維卡軟化點(diǎn)溫度測(cè)定儀 加熱裝置應(yīng)裝有控制元件，

XRW-300UA/B型維卡軟化點(diǎn)試驗(yàn)機(jī)運(yùn)用PLC可編程控制器進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)采用觸摸屏顯示操作。該產(chǎn)品操作簡(jiǎn)單、使用方便、性能穩(wěn)定、產(chǎn)品精度高，并在試驗(yàn)過(guò)程中可時(shí)實(shí)監(jiān)控試驗(yàn)溫度和變形量；試驗(yàn)結(jié)束時(shí)系統(tǒng)自動(dòng)停止加熱，并可顯示試驗(yàn)曲線。